MODULATION-SPECTROSCOPY STUDY OF THE GA1-XALXSB BAND-STRUCTURE

被引：154

作者：

ALIBERT, C ^{[1
]}

JOULLIE, A ^{[1
]}

JOULLIE, AM ^{[1
]}

ANCE, C ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MONTPELLIER 2,CNRS,SPECTROSCOPIE LAB 2,F-34060 MONTPELLIER,FRANCE

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1983年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.27.4946

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：4946 / 4954

页数：9

相关论文

共 34 条

[31] INFRARED LATTICE BANDS IN A1SB [J].

TURNER, WJ ;

REESE, WE .

PHYSICAL REVIEW, 1962, 127 (01) :126-+

[32] ELECTRONIC STRUCTURES OF SEMICONDUCTOR ALLOYS [J].

VANVECHTEN, JA ;

BERGSTRESSER, TK .

PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE, 1970, 1 (08) :3351-+

[33]

Willardson R. K., 1972, SEMICONDUCTORS SEMIM, V9

[34] ELECTROREFLECTANCE STUDIES OF INAS GAAS AND (GA,IN)AS ALLOYS [J].

WILLIAMS, EW ;

REHN, V .

PHYSICAL REVIEW, 1968, 172 (03) :798-&