OHMIC CONTACTS ON SELECTIVELY DOPED ALINAS/GAINAS HETEROSTRUCTURES USING NI, AUGE AND AU

被引：13

作者：

KAMADA, M

ISHIKAWA, H

MORI, Y

KOJIMA, C

机构：

[1] SONY Corp Research Cent, Yokohama, Jpn, SONY Corp Research Cent, Yokohama, Jpn

来源：

关键词：

CONTACT RESISTANCE - HETEROSTRUCTURES - OHMIC METALS - SHALLOW ALLOYED LAYERS;

D O I：

10.1016/0038-1101(87)90062-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

(Edited Abstract)

引用

页码：1345 / 1349

页数：5

共 6 条

[1] OHMIC CONTACTS TO GAAS [J].

BRASLAU, N .

[2]

HIROSE H, 1985, INT S GAAS RELATED C

[3]

HIROSE H, 1985, I PHYS C SER, V79, P529

KAMADA, M ;

SUZUKI, T ;

NAKAMURA, F ;

MORI, Y ;

ARAI, M .

KAMADA, M ;

ISHIKAWA, H ;

IKEDA, M ;

MORI, Y ;

KOJIMA, C .

[6]

KAMADA M, 1986, INT S GAAS RELATED C