PHOTOELECTROCHEMICAL PLATING OF VIA GAAS-FETS

被引：9

作者：

KOHL, PA

DASARO, LA

WOLOWODIUK, C

OSTERMAYER, FW

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25811

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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共 6 条

[1] IMPROVED PERFORMANCE OF GAAS MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH LOW INDUCTANCE VIA-CONNECTIONS THROUGH SUBSTRATE [J].

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