ONSET OF HEAVY INVERSION IN MOS DEVICES DOPED NONUNIFORMLY NEAR-SURFACE

被引：11

作者：

FELTL, H ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,GESCHAFTSBEREICH DATENVERARBEITUNG,D-8000 MUNICH 80,FED REP GER

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1977年 / 24卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18728

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：288 / 289

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] THRESHOLD VOLTAGE OF NONUNIFORMLY DOPED MOS STRUCTURES [J].

DOUCET, G ;

VANDEWIE.F .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1973, 16 (03) :417-423

[2]

FELTL H, 1973, THESIS TU MUNCHEN

[3] CONCERNING ONSET OF HEAVY INVERSION IN MIS DEVICES [J].

TOBEY, MC ;

GORDON, N .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1974, ED21 (10) :649-650