CHARACTERIZATION OF BEAM-RECRYSTALLIZED SI FILMS AND THEIR SI/SIO2 INTERFACES IN SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES

被引：6

作者：

VU, DP

PFISTER, JC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.96759

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：50 / 52

页数：3

共 8 条

COLINGE, JP ;

DEMOULIN, E ;

BENSAHEL, D ;

AUVERT, G .

[2]

HAOND M, 1985, 1985 MAT RES SOC EUR

[3]

LIM HK, 1983, IEEE T ELECTRON DEV, V30, P1244

[4]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P362

VU, DP ;

PFISTER, JC .

VU, DP ;

CHANTRE, A ;

MINGAM, H ;

VINCENT, G .

[7] THEORY OF THE FULLY DEPLETED SOS-MOS TRANSISTOR [J].

WORLEY, ER .

[8]

ZERBST M, 1966, Z ANGEW PHYSIK, V22, P30