EPITAXIAL-GROWTH OF (ALGA)AS AND GAAS ON (ALGA)AS SUBSTRATE

被引：6

作者：

HORIKOSHI, Y ^{[1
]}

FURUKAWA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.14.1727

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1727 / 1732

页数：6

共 5 条

CHO, AY ;

REINHART, FK .

EISENCRAFT, M ;

ANDERSON, RL .

[3]

KAWAKAMI T, 1975, JPN J APPL PHYS, V14, P419

[4] 3-DIMENSIONAL LIGHT GUIDES IN SINGLE-CRYSTAL GAAS-ALXGA1-XAS [J].

TRACY, JC ;

WIEGMAN, W ;

LOGAN, RA ;

REINHART, FK .

[5] GAAS-GA1-XALXAS BURIED-HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS [J].

TSUKADA, T .