HIGH-POWER C BAND READ IMPATT DIODES

被引：8

作者：

ADLERSTEIN, MG ^{[1
]}

WALLACE, RN ^{[1
]}

STEELE, SR ^{[1
]}

机构：

[1] RAYTHEON RES DIV,28 SEYON ST,WALTHAM,MA 02154

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1975年 / 11卷 / 18期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750331

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：430 / 431

页数：2

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共 3 条

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