HYDROGENATION FOR POLYSILICON MOSFETS BY ION SHOWER DOPING TECHNIQUE

被引：6

作者：

SETSUNE, K

MIYAUCHI, M

HIRAO, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26494

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：618 / 620

页数：3

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共 4 条

[1]

COORCELLE E, 1984, P IEEE PHOTOVOLTAIC, V17, P601

KAMINS, TI ;

MARCOUX .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1980, 1 (08) :159-161

[3]

POLLACK GP, 1984, IEEE ELECTRON DEVICE, V5, P500

SINGH, HJ ;

SARASWAT, KC ;

SHOTT, JD ;

MCVITTIE, JP ;

MEINDL, JD .