TOPOLOGY DEPENDENCE OF FLOATING GATE FAULTS IN MOS INTEGRATED-CIRCUITS

被引：30

作者：

RENOVELL, M

CAMBON, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860106

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：152 / 153

页数：2

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