(INAS)1(GAAS)1 LAYERED CRYSTAL GROWN ON (100)INP BY MOCVD

被引：11

作者：

FUKUI, T

SAITO, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1985年 / 24卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L774

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L774 / L776

页数：3

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共 4 条

[1] (INAS)1(GAAS)1 LAYERED CRYSTAL GROWN BY MOCVD [J].

FUKUI, T ;

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