HOT-ELECTRON AGING IN P-CHANNEL MOSFETS FOR VLSI CMOS

被引：8

作者：

RADOJCIC, R

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1984年 / 31卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21807

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1896 / 1898

页数：3

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共 4 条

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