P-TYPE SURFACE-LAYERS ON N-TYPE SILICON HEAT-CLEANED IN UHV

被引：19

作者：

MOTTRAM, JD ^{[1
]}

THANAILAKIS, A ^{[1
]}

NORTHROP, DC ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MANCHESTER,INST SCI & TECHNOL,DEPT ELECT ENGN & ELECTR,POB 88,MANCHESTER M60 1QD,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1088/0022-3727/8/11/010

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1316 / 1320

页数：5