HIGH-VOLTAGE ELECTRON-MICROSCOPE STUDY OF DEFECTS IN SILICON

被引：14

作者：

OSHIMA, R

SADAMITSU, S

FUJITA, FE

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 116卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90314-5

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：606 / 611

页数：6

共 12 条

[1]

ASAHI H, 1981, I PHYS C SER, V59, P455

[2]

BACON DJ, 1966, PHILOS MAG, V12, P195

BENNEMAN, KH .

PHYSICAL REVIEW, 1965, 137 (5A) :1497-+

[4]

Foll H., 1975, Lattice Defects in Semiconductors, 1974, P233

FURUNO, S ;

IZUI, K ;

OTSU, H .

GHOSHTAGORE, RN .

[7]

HIRATA M, 1982, PHYSICA B&C, V116

[8]

KIRITANI M, 1981, I C SER, V59, P449

[9]

Kiritani M., 1977, PROGR STUDY POINT DE, P247

[10]

LIMA CAF, 1976, PHILOS MAG, V34, P1057