EFFECTS OF SI3N4, SIO, AND POLYIMIDE SURFACE PASSIVATIONS ON GAAS-MESFET AMPLIFIER RF STABILITY

被引：24

作者：

TENEDORIO, JG ^{[1
]}

TERZIAN, PA ^{[1
]}

机构：

[1] NARDA MICROWAVE CORP,SAN JOSE,CA 95112

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25886

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：199 / 202

页数：4

共 11 条

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