OPTICAL-ABSORPTION IN PBTE DOPED WITH CR

被引：11

作者：

BALEVA, MI

BORISSOVA, LD

机构：

来源：

JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1983年 / 16卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1088/0022-3719/16/24/008

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：L907 / L911

页数：5

共 10 条

[1] RESONANT LEVEL IN SEMICONDUCTING HG1-XCDXTE [J].

DORNHAUS, R ;

NIMTZ, G ;

SCHLABITZ, W ;

BURKHARD, H .

[2]

DRABKIN IA, 1974, SOV PHYS SEMICOND, V8, P1947

[3]

HAINRICH H, 1980, LECTURE NOTES PHYSIC, V133, P407

[4]

LICHEVA LD, 1983, BULG J PHYS, V10, P3

LOW, W .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 109 (02) :256-265

[6] NEW MODEL FOR VACANCY STATES IN PBTE [J].

PARADA, NJ ;

PRATT, GW .

[7] LOCALIZED DEFECTS IN PBTE [J].

PARADA, NJ .

PHYSICAL REVIEW B, 1971, 3 (06) :2042-&

[8]

SISOV FF, 1980, SOV PHYS SEMICOND, V14, P1788

[9]

VEISS A, 1979, SOV PHYS SEMICOND, V13, P2384

[10]

VINOGRADOVA MN, 1978, SOV PHYS SEMICOND, V12, P663