REDUCTION OF AL CONTAMINATION IN GAAS LAYER OF LPE-GROWN ALXGA1-XAS-GAAS HETEROSTRUCTURES

被引：9

作者：

KOPF, L ^{[1
]}

SUMSKI, S ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1975年 / 28卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(75)90073-1

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页数：2

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