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PREHEATED CW LASER ANNEALED TRANSISTORS IN SILICON ON SAPPHIRE
被引:2
作者
:
HOLMEN, G
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HOLMEN, G
PETERSTROM, S
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PETERSTROM, S
ALESTIG, G
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ALESTIG, G
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1984年
/ 45卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.95382
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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INFLUENCE OF SCAN SPEED ON DEEP LEVEL DEFECTS IN CW LASER ANNEALED SILICON
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(01)
:98
-100
[2]
GAGLIANO FP, 1972, LASERS IND, P141
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1981,
39
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CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY
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MILLER, GL
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BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
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ANNUAL REVIEW OF MATERIALS SCIENCE,
1977,
7
:377
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[1]
INFLUENCE OF SCAN SPEED ON DEEP LEVEL DEFECTS IN CW LASER ANNEALED SILICON
[J].
CHANTRE, A
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BOIS, D
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(01)
:98
-100
[2]
GAGLIANO FP, 1972, LASERS IND, P141
[3]
HESS LD, 1982, LASER ELECTRON BEAM
[4]
ORIGIN OF THE DEFECTS OBSERVED AFTER LASER ANNEALING OF IMPLANTED SILICON
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MESLI, A
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1981,
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:159
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[5]
CAPACITANCE TRANSIENT SPECTROSCOPY
[J].
MILLER, GL
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ANNUAL REVIEW OF MATERIALS SCIENCE,
1977,
7
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