ORIGIN OF THE DEFECTS OBSERVED AFTER LASER ANNEALING OF IMPLANTED SILICON

被引：18

作者：

MESLI, A

MULLER, JC

SALLES, D

SIFFERT, P

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.92646

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：159 / 160

页数：2

共 8 条

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