THE INFLUENCE OF GROWTH TEMPERATURE AND THERMAL ANNEALING ON THE STRESS IN GAAS-LAYERS GROWN ON SI SUBSTRATES

被引：22

作者：

UEDA, T

ONOZAWA, S

AKIYAMA, M

SAKUTA, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1988年 / 27卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.27.L1815

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1815 / L1818

页数：4

共 7 条

AKIYAMA, M ;

KAWARADA, Y ;

KAMINISHI, K .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 1984, 23 (11) :L843-L845

[2]

CHOI HK, 1987, MATER RES SOC S P, V91, P213

[3]

ISHIDA K, 1986, JPN J APPL PHYS 2, V25, pL288, DOI 10.1143/JJAP.25.L288

[4]

SHIMIZU M, 1986, J JPN ASS CRYST GROW, V13, P253

[5]

SHOW DW, 1987, MATER RES SOC S P, V91, P15

[6]

YOKOYAMA S, 1987, 19TH C SOL STAT DEV, P147

YONENAGA, I ;

SUMINO, K .