DEVICE CHARACTERISTICS OF MOSFETS IN MEV IMPLANTED SUBSTRATES

被引：7

作者：

ZAPPE, HP

HU, CM

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 21卷 / 2-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90818-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

收藏

页码：163 / 167

页数：5

相关论文

共 6 条

[1]

CHEUNG NW, 1985, P SPIE, V530

[2]

CURRENT MI, 1985, P SPIE, V530

[3]

MULLER RS, 1977, DEVICE ELECTRONICS I, P175

[4] A TWIN-WELL CMOS PROCESS EMPLOYING HIGH-ENERGY ION-IMPLANTATION [J].

STOLMEIJER, A .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1986, 33 (04) :450-457

[5]

TAUR Y, 1985, IEEE J SOLID-ST CIRC, V20, P123

[6]

TERRILL KW, 1984, DEC IEDM, P406