FIELD-DEPENDENT MOBILITY EFFECTS IN EXCESS NOISE OF JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：6

作者：

HALLADAY, HE

VANDERZI.A

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1967年 / ED14卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1967.15908

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：110 / &

相关论文

共 3 条

[1] HALLADAY HE, 1966, IEEE DEVICE, VED13, P531
[2] THEORY OF LOW-FREQUENCY GENERATION NOISE IN JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SAH, CT
[J]. PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1964, 52 (07) : 795 - +
[3] GATE NOISE IN FIELD EFFECT TRANSISTORS AT MODERATELY HIGH FREQUENCIES
VANDERZIEL, A
[J]. PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1963, 51 (03) : 461 - &