TUNNELING THROUGH NARROW-GAP SEMICONDUCTOR BARRIERS

被引:21
作者
HEREMANS, J [1 ]
PARTIN, DL [1 ]
DRESSELHAUS, PD [1 ]
LAX, B [1 ]
机构
[1] MIT, FRANCIS BITTER NATL MAGNET LAB, CAMBRIDGE, MA 02139 USA
关键词
D O I
10.1063/1.96731
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:644 / 646
页数:3
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