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SPACE CHARGE IN GROWING OXIDE FILMS .2. NONHOMOGENEOUS FIELD
被引:9
作者
:
FROMHOLD, AT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
FROMHOLD, AT
机构
:
来源
:
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
|
1963年
/ 38卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1733928
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:2041 / +
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相关论文
共 3 条
[1]
SPACE CHARGE IN GROWING OXIDE FILMS
[J].
FROMHOLD, AT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
FROMHOLD, AT
.
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,
1963,
38
(01)
:282
-&
[2]
GRIMLEY TB, 1955, CHEMISTRY SOLID STAT, P340
[3]
EFFECT OF AN ELECTRIC FIELD ON SILICON OXIDATION
[J].
JORGENSEN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
JORGENSEN
.
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,
1962,
37
(04)
:874
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共 3 条
[1]
SPACE CHARGE IN GROWING OXIDE FILMS
[J].
FROMHOLD, AT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
FROMHOLD, AT
.
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,
1963,
38
(01)
:282
-&
[2]
GRIMLEY TB, 1955, CHEMISTRY SOLID STAT, P340
[3]
EFFECT OF AN ELECTRIC FIELD ON SILICON OXIDATION
[J].
JORGENSEN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
JORGENSEN
.
JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,
1962,
37
(04)
:874
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