CONTROL OF RELATIVE ETCH RATES OF SIO2 AND SI IN PLASMA ETCHING

被引：233

作者：

HEINECKE, RAH ^{[1
]}

机构：

[1] STAND TELECOMMUN LABS LTD,LONDON RD,HARLOW,ESSEX,ENGLAND

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1975年 / 18卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90184-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1146 / 1147

页数：2

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共 4 条

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