SIMPLE-MODEL FOR THRESHOLD VOLTAGE OF A NONUNIFORMLY DOPED SHORT-CHANNEL MOS-TRANSISTOR

被引：1

作者：

ASENOV, AM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820328

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：481 / 482

页数：2

共 6 条

CHATTERJEE, PK ;

LEISS, JE ;

TAYLOR, GW .

[2]

DANG LM, 1980, IEEE T ELECTRON DEV, V27, P1533, DOI 10.1109/T-ED.1980.20067

[3]

MOTTA RF, 1980, IEEE J SOLID-ST CIRC, V15, P624, DOI 10.1109/JSSC.1980.1051446

RUNOVC, F .

[5] INVESTIGATION OF PARAMETER SENSITIVITY OF SHORT CHANNEL MOSFETS [J].

SELBERHERR, S ;

SCHUTZ, A ;

POTZL, H .

[6]

TROUTMAN R, 1977, IEEE T ED, V26, P182