SIMULATION OF GAAS SUB-MICRON FET WITH HOT-ELECTRON INJECTION STRUCTURE

被引：15

作者：

TOMIZAWA, K ^{[1
]}

AWANO, Y ^{[1
]}

HASHIZUME, N ^{[1
]}

KAWASHIMA, M ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH LAB,SAKURA,IBARAKI 305,JAPAN

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 17期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19830475

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：697 / 698

页数：2

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共 2 条

[1] MONTE-CARLO PARTICLE SIMULATION OF A GAAS SHORT-CHANNEL MESFET [J].

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