IMPURITY-INDUCED LAYER DISORDERING OF HIGH GAP INY(ALXGA1-X)1-YP HETEROSTRUCTURES

被引:31
作者
DEPPE, DG
NAM, DW
HOLONYAK, N
HSIEH, KC
BAKER, JE
KUO, CP
FLETCHER, RM
OSENTOWSKI, TD
CRAFORD, MG
机构
[1] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
[2] HEWLETT PACKARD CO,DIV OPTOELECTR,SAN JOSE,CA 95131
关键词
D O I
10.1063/1.99132
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1413 / 1415
页数:3
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