WIDE-WAVELENGTH INGAAS/INP PIN PHOTODIODES SENSITIVE FROM 0.7 TO 1.6 MU-M

被引：10

作者：

KAGAWA, S

INOUE, K

OGAWA, I

TAKADA, Y

SHIBATA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1989年 / 28卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.1843

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1843 / 1846

页数：4