DONOR SURFACE STATES AND BULK ACCEPTOR TRAPS IN SILICON-ON-SAPPHIRE FILMS

被引：27

作者：

HEIMAN, FP

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1967年 / 11卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1755064

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：132 / &

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