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DESIGN PARAMETERS OF THE HI-C DRAM CELL
被引:2
作者
:
ELMANSY, YA
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ELMANSY, YA
BURGHARD, RA
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BURGHARD, RA
机构
:
来源
:
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
|
1982年
/ 17卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1109/JSSC.1982.1051845
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:951 / 956
页数:6
相关论文
共 4 条
[1]
ELMANSY YA, 1980, IEEE J SOLID STATE C, V15
[2]
Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI
[3]
ENHANCED CAPACITOR FOR ONE-TRANSISTOR MEMORY CELL
SODINI, CG
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机构:
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
SODINI, CG
KAMINS, TI
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机构:
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
KAMINS, TI
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1976,
23
(10)
: 1187
-
1189
[4]
HI-C RAM CELL CONCEPT
TASCH, AF
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HOLLOWAY, TC
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1978,
25
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共 4 条
[1]
ELMANSY YA, 1980, IEEE J SOLID STATE C, V15
[2]
Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI
[3]
ENHANCED CAPACITOR FOR ONE-TRANSISTOR MEMORY CELL
SODINI, CG
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机构:
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
SODINI, CG
KAMINS, TI
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机构:
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
HEWLETT PACKARD CO,PALO ALTO,CA 94304
KAMINS, TI
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1976,
23
(10)
: 1187
-
1189
[4]
HI-C RAM CELL CONCEPT
TASCH, AF
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HOLLOWAY, TC
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1978,
25
(01)
: 33
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