GAAS X-BAND POWER FET

被引：2

作者：

FUKUTA, M ^{[1
]}

SUYAMA, K ^{[1
]}

YOKOYAMA, N ^{[1
]}

ISHIKAWA, H ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.15S1.151

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：151 / 156

页数：6

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