OPTICAL MULTIPLICATION IN SOLID-STATE IMAGING DEVICES WITH AN INHERENT MNOS MEMORY GATE

被引：1

作者：

YAMASAKI, H ^{[1
]}

ANDO, T ^{[1
]}

机构：

[1] SHIZUOKA UNIV, ELECTR RES INST, HAMAMATSU, SHIZUOKA 432, JAPAN

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26053

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：88 / 90

页数：3

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共 2 条

[1] CHARACTERISTICS OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS [J].

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[2]

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