LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH OF SILICON ON SIO2

被引：38

作者：

RATHMAN, DD

SILVERSMITH, DJ

BURNS, JA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2123499

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2303 / 2306

页数：4

共 10 条

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