THE USE OF ELLIPSOMETRY MEASUREMENTS IN PROCESS-CONTROL DURING PHOSPHORUS-ION IMPLANTATION OF SILICON

被引：1

作者：

MARINESCU, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF00721361

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1451 / 1453

页数：3

相关论文

共 4 条

[1]

CARTER G, 1976, ION IMPLANTATION SEM, P109

[2]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

[3]

Hoepfner J. D., 1983, Ion Implantation: Equipment and Techniques. Proceedings of the Fourth International Conference, P327

[4] ELLIPSOMETRY MEASUREMENTS OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS [J].

IRENE, EA ;

DONG, DW .