LOGIC UPSET LEVEL OF GAAS SRAMS FOR PULSED IONIZING-RADIATION

被引：4

作者：

NOTTHOFF, JK

ZULEEG, R

TROEGER, GL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333103

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：4173 / 4177

页数：5

共 5 条

GINELL, WS ;

ZULEEG, R ;

MCNICHOLS, JL ;

NOTTHOFF, JK ;

LEHOVEC, K .

[2] RADIATION EFFECTS IN GAAS JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS [J].

ZULEEG, R ;

LEHOVEC, K .

[3] TRANSIENT-RESPONSE OF GAAS ICS TO IONIZING-RADIATION [J].

ZULEEG, R ;

NOTTHOFF, JK .

[4]

ZULEEG R, 1982, IEEE T NUCL SCI, V29, P1656

[5]

ZULEEG R, 1983, JUL IEEE C NUCL SPAC