FUNDAMENTAL LIMITS IMPOSED BY GAMMA-DOSE FLUCTUATIONS IN SCALED MOS GATE INSULATORS

被引：14

作者：

VAIL, PJ

BURKE, EA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1984.4333521

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1411 / 1416

页数：6

共 10 条

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