FABRICATION OF SHORT CHANNEL MOSFETS WITH REFRACTORY-METAL GATES USING RF SPUTTER ETCHING

被引：10

作者：

RODRIGUEZ, A ^{[1
]}

MISRA, M ^{[1
]}

HESSELBOM, H ^{[1
]}

TOVE, PA ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV UPPSALA,INST TECHNOL,ELECTR DEPT,UPPSALA,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90126-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：17 / &

共 11 条

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