EFFECT OF AS4 OVERPRESSURE ON INITIAL GROWTH OF GALLIUM-ARSENIDE ON SILICON BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：31

作者：

PALMER, JE ^{[1
]}

BURNS, G ^{[1
]}

FONSTAD, CG ^{[1
]}

THOMPSON, CV ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.101698

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：990 / 992

页数：3

共 10 条

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