ENERGY-LEVELS AND PROPERTIES OF DEFECTS ON RECONSTRUCTED DISLOCATIONS IN SILICON

被引：8

作者：

HEGGIE, MI

JONES, R

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1983年 / 44卷 / NC-4期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1983405

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