MEV BACKSCATTERING ANALYSIS OF ANNEALING BEHAVIORS OF ION-IMPLANTED ARSENIC IN SILICON

被引：6

作者：

INADA, T ^{[1
]}

MIYAKAWA, H ^{[1
]}

OHFUJI, T ^{[1
]}

BENZAKI, K ^{[1
]}

ONODA, H ^{[1
]}

YUGE, Y ^{[1
]}

USHIO, S ^{[1
]}

机构：

[1] OKI ELECT IND CO LTD,DIV ELECTR DEVICE,HACHIOHJI,TOKYO 193,JAPAN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH | 1983年 / 218卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-5087(83)91052-9

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：607 / 611

页数：5

共 5 条

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INADA, T ;

SUGIYAMA, T ;

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