MICRODOSIMETRIC ANALYSIS OF PROTON-INDUCED REACTIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE

被引:17
作者
FARRELL, GE [1 ]
MCNULTY, PJ [1 ]
ABDELKADER, W [1 ]
机构
[1] CLARKSON UNIV,DEPT PHYS,POTSDAM,NY 13676
关键词
D O I
10.1109/TNS.1984.4333458
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页数:5
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