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TAKASUGI H, 1985, 17TH C SOL STAT DEV, P209
THE ORIGIN OF A HIGHLY RESISTIVE LAYER AT A GROWTH-INTERRUPTED INTERFACE OF GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：20
作者：
IIMURA, Y
SHIRAISHI, T
TAKASUGI, H
KAWABE, M
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.338017
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：2095 / 2097
页数：3
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