GAS SOURCE SILICON MOLECULAR-BEAM EPITAXY USING DISILANE

被引：71

作者：

HIRAYAMA, H

TATSUMI, T

AIZAKI, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.99106

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1484 / 1486

页数：3

共 8 条

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