COMMON OCCURENCE OF ARTIFACTS OR GHOST PEAKS IN SEMICONDUCTOR INJECTION ELECTROLUMINESCENCE SPECTRA

被引：37

作者：

CARR, WN

BIARD, JR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1713839

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2776 / &

相关论文

共 6 条

[1] THE EFFECT OF CU IMPURITIES ON INFRARED ELECTROLUMINESCENCE IN GAAS P-N JUNCTIONS
LARSEN, TL
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1963, 3 (07) : 113 - 115
[2] LOWNDES DH, 1963, IEEE T ELECTRON DEVI, VED10, P333
[3] Nasledov D. N., 1962, FIZ TVERD TELA, V4, P3346
[4] NATHAN MI, 1964, B AM PHYS SOC, V9, P269
[5] VINOGRADOV VS, 1962, FIZ TVERD TELA+, V4, P3348
[6] WEISER K, 1963, B AMER PHYS SOC, V8, P201