ANOMALOUS TEMPERATURE EFFECT OF OXIDATION STACKING-FAULTS IN SILICON

被引：122

作者：

HU, SM ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,E FISHKILL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88441

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：165 / 167

页数：3

共 5 条

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