OPTIMUM SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT FOR HIGH-EFFICIENCY MICROWAVE TRANSFERRED-ELECTRON DIODES

被引：4

作者：

HARIU, T ^{[1
]}

SHIBATA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] TOHOKU UNIV,DEPT ELECTR ENGN,SENDAI 980,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1975.9837

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：823 / 824

页数：2

共 7 条

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