LOW-FREQUENCY NOISE CHARACTERISTICS OF ION-IMPLANTED BURIED CHANNEL NMOS DEVICES

被引：5

作者：

CARRIGAN, DG ^{[1
]}

FU, HS ^{[1
]}

STEPHENS, WF ^{[1
]}

TASCH, AF ^{[1
]}

CHEEK, TF ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18951

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1207 / 1207

页数：1

共 5 条

[1]

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