MISFIT STRESS IN INGAAS INP HETEROEPITAXIAL STRUCTURES GROWN BY VAPOR-PHASE EPITAXY - COMMENT

被引：8

作者：

NOYAN, IC

SEGMULLER, A

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1986年 / 60卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.337772

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2980 / 2981

页数：2

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