INVESTIGATION OF THE INTERSTITIAL SITE IN AS+-ION-IMPLANTED GAAS BY MEANS OF A MULTIDIRECTIONAL AND HIGH-DEPTH RESOLUTION RBS CHANNELING TECHNIQUE

被引：15

作者：

NISHIZAWA, JI ^{[1
]}

SHIOTA, I ^{[1
]}

OYAMA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] SEMICONDUCTOR RES INST,KAWAUCHI,SENDAI 980,JAPAN

来源：

JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS | 1986年 / 19卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1088/0022-3719/19/1/006

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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