STATUS OF THE SURFACE AND BULK PARASITIC EFFECTS LIMITING THE PERFORMANCES OF GAAS IC-S

被引：46

作者：

ROCCHI, M

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1985年 / 129卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(85)90559-5

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：119 / 138

页数：20

共 41 条

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